Forschungserfolg in Phase-Change-Memory bahnt Weg zu Unternehmensanwendungen

Forscher bei IBM Research– Zürich haben erstmals gezeigt, dass Phase-Change-Memory genannte Speicher (kurz: PCM, deutsch: Phasenwechsel-Speicher) nicht nur einzelne Bits, sondern gleich mehrere Bits pro Speicherzelle sehr zuverlässig über lange Zeiträume speichern können. Der Forschungserfolg ist ein bedeutender Schritt hin zur Entwicklung von kosteneffizienten, schnellen und langlebigen Memory-Anwendungen für elektronische Geräte wie zum Beispiel Smartphones, aber auch für Hochleistungs-IT-Syst